Современи електронски елементи
Предмет: Современи електронски елементи
Код: ФЕИТ053025
Број на ЕКТС кредити: 6 ЕКТС
Неделен фонд на часови: 3+1+1+0
Институт: Електроника
Предуслов за запишување на предметот: нема
Цели на предметната програма (компетенции) : Познава гама на современи електронски елементи, а посебно наноструктурите. Владее алатки за симулација на истите. Оспособени за следење на идните технологии во електрониката.
Методи на учење: Предавања, аудиториски вежби, лабораториски вежби, семинарски задачи/проекти
Вкупен расположив фонд на часови: 180 часови
Содржина на предметната програма: Вовед. Материјали и процеси. MOS-кондензатор со еден и две гејт електроди (анализа и симулација). Вовед во нано MOS-транзистори. Запознавање со симулациската алатка FETToy. Балистички нанотранзистори. Вовед во наноструктури – јаглеродни нанотуби (carbon nanotubes), наножици (nanowires), квантни јами и квантни точки. Вовед во наноелектро-механички системи (NEMS). Современи енергетски електронски елементи. Рекомбинационо-генерациони процеси, услови на висока инјекција, Шоткиев спој, енергетски: pin-диода, Шоткиева диода, биполарен транзистор, MOS-транзистор, IGBT, тиристор, GTO
Литература:
Задолжителна литература |
||||
Бр. |
Автор |
Наслов |
Издавач |
Година |
1 |
Charles P. Poole Jr, Fran J. Owens |
Introduction to Nanotechnology |
A Wiley-Interscience publication |
2003 |
2 |
N. Mohan, T. M. Undeland & W. P. Robbins |
Power electronics – converters, applications and Design
|
John Wiley & Sons |
1995 |
3 |
S.M.Sze, Kwok K. Ng |
Physics of semiconductor devices |
A Wiley-Interscience publication |
2007 |
Дополнителна литература |
||||
Бр. |
Автор |
Наслов |
Издавач |
Година |
1 |
B. J. Baliga |
Power semiconductor devices
|
PWS Publishing company, NY |
1997 |
2 |
Разни автори |
Каталози, Application notes |
Интернет страни |
тековна |