Од микроелектроника до наноелектроника
Предмет: Од микроелектроника до наноелектроника
Код: ФЕИТ05011
Број на ЕКТС кредити: 6 ЕКТС
Неделен фонд на часови: 3+0+0+3
Наставник: в. проф. д-р Катерина Ралева
Содржина на предметната програма: State-of-the-art во Si-CMOS технологијата во контекст на Муровиот закон. Скалирање на MOSFET транзисторот. Физика на MOSFET транзистор со долг канал и со краток канал. Феномени карактеристични за длабоко-подмикрометарските електронски елементи. Граници на скалирање на CMOS технологиите (bulk-CMOS, SOI-CMOS). Нови типови архитектури на електронските елементи (Fully Depleted SOI MOSFET-FD SOI, Double-gate MOS transistor -DGMOS, FinFET, gate-all-around transistor - GAA). Наноелектроника: Single Electron Transistor (SET), Nanowire Transistors, Carbon Nanotube Transistor (CNT), ReRAM, мемории со неколку електрони (few electron memories), и др. Симулациски алатки за микро- и наноелектронските транзистори.
Литература:
- R. F. Pierret, Field Effect Devices, Prentice Hall (Volume 4 on Modular Series on Solid State Devices), 2001
- Jan M. Rabaey, Anantha Chandrakasan, and Borivoje Nikolic, Digital Integrated Circuits: A Design Perspective (2nd Edition), Prentice Hall 2005
- Konstantin K. Likharev, Single Electron Devices and Their Applications (a review paper), Published in Proc. IEEE, vol. 87, pp. 606-632, 1999
